(سجآده حمراء وأرائـك الهطول# حصريآت ال روآية عشق)  
 
 

العودة   منتدى رواية عشق > ϟ الأقسَــام التِقنيّـــة ϟ > ϟ الكمبيُوتـر والبَــرامج ϟ

ϟ الكمبيُوتـر والبَــرامج ϟ كُل ما يخص جهَازك من برَامج وغَيرها.

 
 
أدوات الموضوع انواع عرض الموضوع
#1  
قديم 05-09-2024
جوهرة القصيد غير متواجد حالياً
Saudi Arabia     Female
قَدَاسَة طُهِّرَ | | أَوْسِمَتِي | |
 
 عضويتي » 1693
 اشراقتي ♡ » Oct 2020
 كُـنتَ هُـنا » منذ 3 يوم (11:50 PM)
آبدآعاتي » 316,412
 تقييمآتي » 185216
 حاليآ في » أبها
دولتي الحبيبه » دولتي الحبيبه Saudi Arabia
جنسي  »  Female
 حالتي الآن » سعيدة
آلعمر  » 29سنة
الحآلة آلآجتمآعية  » مرتبط ♡
تم شكري »  61
شكرت » 0
مَزآجِي  »  1
мч ѕмѕ ~
نقيه كعصفور على نافذه يغرد.♪
мч ммѕ ~
MMS ~
 
Q83 إنجاز علمي هائل في الذاكرة غير المتطايرة



يعاني عالَم الحاسوب منذ مدة طويلة مشكلة أساسية وهي أن ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، السريعة للغاية، لا تحفظ البيانات؛ أي أنها تفقد البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي وهذا يجعلها غير مفيدة لتخزين البيانات. ومن ناحية أخرى، لدينا ذاكرة فلاش NAND، وهي ذاكرة غير متطايرة، إذ يمكنها حفظ البيانات دون حاجة إلى طاقة مستمرة. لكن سرعتها لا تقارن بسرعة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، لذلك تعتمد أنظمة اليوم على كلتا الذاكرتين.

واللافت هو تطوير مجموعة من العلماء في كوريا الجنوبية نموذجًا أوليًا يجمع بين أفضل ما لدى التقنيتين في ذاكرة واحدة. ويعد هذا النوع من الذواكر، الذي يجمع بين سرعة وقدرة تخزين البيانات دون حاجة إلى الطاقة، الحل المثالي لتخزين البيانات في عالم الحاسوب.

وكشف فريق من الباحثين في المعهد الكوري المتقدم للعلوم والتكنولوجيا (KAIST) عن حل ذاكرة جديد يستخدم ذاكرة تغيير الطور (PCM) التي استخدمت في الماضي، وكانت المحاولات السابقة تعتمد على استخدام تقنيات الطباعة الحجرية المتقدمة وتقليص حجم الذاكرة، ولكن استهلاك الطاقة المرتفع وتكاليف التصنيع الباهظة كانا عائقين في وجه المطورين.

ووفقًا للتقارير، تمكن علماء في كوريا الجنوبية من تطوير طريقة جديدة أدت إلى صنع ذاكرة تستهلك طاقة أدنى بخمس عشرة مرة من محاولات صنع ذاكرة تغيير الطور السابقة. وفي الوقت نفسه، تتميز هذه الطريقة بتكلفة تصنيع معقولة، إذ تمكنت من حل أكبر مشكلتين تواجهان ذاكرة تغيير الطور؛ محرزةً بذلك اختراقًا حقيقيًا نحو ابتكار أول ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية غير متطايرة في العالم.

وكانت ذاكرة Optane من إنتل، التي تستخدم تقنية XPoint الثلاثية الأبعاد، مثالًا على حلول ذاكرة تغيير الطور المصممة لتوفير تخزين مشابه لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية.

وقد جمع هذا المنتج التجاري بين خصائص زمن وصول ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية وتخزين بيانات ذاكرة الفلاش NAND. ومع ذلك، لم ينجح مشروع شركة إنتل وشريكتها ميكرون، إذ أوقفت إنتل إنتاج هذا النوع من الذواكر في عام 2021 وأنهت المشروع كليًا في عام 2022 بسبب ضعف الإقبال عليه.

وصرح واحد من الباحثين بأن هذا الاختراق الذي حققه الفريق يمهد الطريق لأنظمة الذواكر الثلاثية الأبعاد المكدسة والحوسبة العصبية الشكلية. المسألة هنا أن الشركات لطالما تحدثت عن ذاكرة تغيير الطور كبديل لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منذ أكثر من عقد من الزمان، فهل سنشهد هذه المرة تحركا فعليًا نحو توفير هذا الحل في الأسواق؟



 توقيع : جوهرة القصيد


رد مع اقتباس
 

تعليمات المشاركة
لا تستطيع إضافة مواضيع جديدة
لا تستطيع الرد على المواضيع
لا تستطيع إرفاق ملفات
لا تستطيع تعديل مشاركاتك

BB code is متاحة
كود [IMG] متاحة
كود HTML معطلة

الانتقال السريع

المواضيع المتشابهه
الموضوع كاتب الموضوع المنتدى مشاركات آخر مشاركة
دكتور حسام موافي يوضح إنجاز علمي آية قرآنية تلخص كتاب كامل في الطب رحيل ۩ الصّوتيات والمَرئيات الإسلامِية ۩ 42 11-09-2024 05:05 PM
إكتشاف هائل للبشريه .. لَـحًـــنِ ♫ ✦ هدِير الوَرق العَام ✦ 19 10-08-2024 11:41 AM
علمي طفلك الحروف العربيه , علمي طفلك الذكاء بنت الشام ✬ بـرَاءة طفُولـة ، عَالم الطّفـل الجميل ✬ 27 07-01-2024 04:04 PM
طول عمري هائم البرنس مديح آل قطب ✯ قَطرآت النّثر خوَاطر + أشعَار - بقلم العضُو سبق نَشره ✯ 22 11-07-2023 05:05 PM


الساعة الآن 09:19 AM


Powered by vBulletin Hosting By R-ESHQ
HêĽм √ 3.1 BY: ! RESHQ ! © 2010
new notificatio by R-ESHQ
User Alert System provided by Advanced User Tagging (Lite) - vBulletin Mods & Addons Copyright © 2025 DragonByte Technologies Ltd.
تنويه : المشاركات المطروحة تعبر عن وجهة نظر أصحابها وليس بالضرورة تمثل رأي أدارة الموقع